制造商型号: | IXTP8N70X2M |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTP8N70X2M
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IXTP8N70X2M 中文资料
数据手册PDF
IXTP8N70X2M 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 700 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 500 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 4.8 S
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 53 ns
典型接通延迟时间 24 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存: 12
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 43.269701 | 43.27 |
10 | 38.845495 | 388.45 |
100 | 31.82997 | 3183.00 |
500 | 27.096557 | 13548.28 |
1000 | 22.852601 | 22852.60 |
2000 | 22.258979 | 44517.96 |
品牌其他型号
IXTP8N70X2M品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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