制造商型号： | IXFX120N30T |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFX120N30T
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IXFX120N30T 中文资料
数据手册PDF
IXFX120N30T 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 265 nC
耗散功率 960 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
正向跨导（Min） 70 S
上升时间 31 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 87 ns
典型接通延迟时间 32 ns
外形参数
高度 21.34 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 GigaMOS Power MOSFET
单位重量 6 g
IXFX120N30T 引脚图与封装图
IXFX120N30T引脚图
IXFX120N30T封装图
IXFX120N30T封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 30 | 67.135955 | 2014.08 |
品牌其他型号
IXFX120N30T品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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