制造商型号: | IXTH64N65X |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 650V 64A TO-247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTH64N65X
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IXTH64N65X 中文资料
数据手册PDF
IXTH64N65X 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 64 A
漏源电阻 51 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 143 nC
耗散功率 890 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 25 ns
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
30 | 88.203008 | 2646.09 |
品牌其他型号
IXTH64N65X品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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