IXTH64N65X

IXYS Semiconductor 分立器件

Mosfet n-Ch 650V 64A To-247

N-Channel 650V 64A Tc 890W Tc Through Hole TO-247 IXTH

得捷:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247

IXTH64N65X中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 890W Tc

漏源极电压Vds 650 V

输入电容Ciss 5500pF @25VVds

耗散功率Max 890W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

IXTH64N65X引脚图与封装图

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