制造商型号: | IPL60R210P6AUMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 4VSON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPL60R210P6AUMA1
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IPL60R210P6AUMA1 中文资料
数据手册PDF
IPL60R210P6AUMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 19.2 A
漏源电阻 189 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 37 nC
耗散功率 151 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 8 mm
宽度 8 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPL60R210P6 SP001017096
单位重量 187.650 mg
品牌其他型号
IPL60R210P6AUMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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