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IPL60R210P6AUMA1

IPL60R210P6AUMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道 600V 19.2A

表面贴装型 N 通道 600 V 19.2A(Tc) 151W(Tc) PG-VSON-4


欧时:
Infineon MOSFET IPL60R210P6AUMA1


立创商城:
N沟道 600V 19.2A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON


贸泽:
MOSFET LOW POWER PRICE/PERFORM


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A


安富利:
MOS Power Transistors HV >= 200V


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19.2A; 151W; PG-VSON-4


IPL60R210P6AUMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 151 W

极性 N-CH

耗散功率 151 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 19.2A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 1750pF @100VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 151W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 PG-VSON-4

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 8 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-VSON-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 PWM stages TTF, LLC for, , telecom rectifier,, PFC stages for

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPL60R210P6AUMA1引脚图与封装图
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