制造商型号： | SIHD3N50D-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIHD3N50D-E3
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SIHD3N50D-E3 中文资料
数据手册PDF
SIHD3N50D-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 3.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHD3N50D-BE3
单位重量 330 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.292432 | 6.29 |
| 10 | 5.641737 | 56.42 |
| 25 | 5.351427 | 133.79 |
| 100 | 4.01357 | 401.36 |
| 250 | 3.975673 | 993.92 |
品牌其他型号
SIHD3N50D-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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