RQ3E130MNTB1

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

RQ3E130MNTB1 编带

N-Channel 30V 13A Ta 2W Ta Surface Mount 8-HSMT 3.2x3

得捷:
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

立创商城:
N沟道 30V 13A

贸泽:
MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin HSMT EP T/R

安富利:
RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5.8 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 840pF @15VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HSMT-8

外形尺寸

封装 HSMT-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RQ3E130MNTB1引脚图与封装图

RQ3E130MNTB1引脚图

RQ3E130MNTB1封装图

RQ3E130MNTB1封装焊盘图

在线购买RQ3E130MNTB1

型号	制造商	描述	购买
RQ3E130MNTB1	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	RQ3E130MNTB1 编带	搜索库存