制造商型号： | IXFH60N65X2 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFH60N65X2
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IXFH60N65X2 中文资料
数据手册PDF
IXFH60N65X2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 52 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 107 nC
耗散功率 780 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 29 S
上升时间 40 ns
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 37 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 79.972645 | 79.97 |
| 10 | 73.475325 | 734.75 |
| 100 | 62.054529 | 6205.45 |
| 500 | 55.201759 | 27600.88 |
| 1000 | 50.633294 | 50633.29 |
品牌其他型号
IXFH60N65X2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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