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IXFH60N65X2

IXFH60N65X2

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IXYS Semiconductor 分立器件

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiPerFET™ X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管,且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiPerFET™ X2 系列

与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管,且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。

极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)

快速本质整流器二极管

低本质栅极电阻

低封装电感

工业标准封装


得捷:
MOSFET N-CH 650V 60A TO247


欧时:
### N 通道功率 MOSFET,IXYS HiPerFET™ X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管,且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


立创商城:
N沟道 650V 60A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, X2-Class, N沟道, 650 V, 60 A, 0.052 ohm, TO-247, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin3+Tab TO-247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Newark:
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IXFH60N65X2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.052 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 780 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 6300pF @25VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 780W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 21.34 mm

高度 5.21 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

IXFH60N65X2引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IXFH60N65X2 IXYS Semiconductor N 通道功率 MOSFET,IXYS HiPerFET™ X2 系列 与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管,且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。 极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 搜索库存