制造商型号： | SI3459BDV-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI3459BDV-T1-GE3
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SI3459BDV-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI3459BDV-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 216 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 7.7 nC
耗散功率 3.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3459BDV-T1-BE3 SI3459BDV-GE3
单位重量 20 mg
库存： 19098
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.59212 | 9.59 |
| 10 | 8.413328 | 84.13 |
| 100 | 6.447523 | 644.75 |
| 500 | 5.096536 | 2548.27 |
| 1000 | 4.077228 | 4077.23 |
品牌其他型号
SI3459BDV-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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