制造商型号: | IRFB52N15DPBF |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IRFB52N15DPBF
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IRFB52N15DPBF 中文资料
数据手册PDF
IRFB52N15DPBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 320 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB52N15DPBF SP001572332
单位重量 2 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 20.165392 | 20.17 |
10 | 16.950619 | 169.51 |
100 | 13.713197 | 1371.32 |
500 | 12.189541 | 6094.77 |
1000 | 10.437271 | 10437.27 |
品牌其他型号
IRFB52N15DPBF品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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