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IRFB52N15DPBF

IRFB52N15DPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

N沟道,150V,51A,32mΩ@10V

**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**

HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.


e络盟:
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFB52N15DPBF


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 150V; RDSON 32Milliohms; ID 51A; TO-220AB; PD 230W; -55deg


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


IRFB52N15DPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 51.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 32 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 320 W

产品系列 IRFB52N15D

阈值电压 5 V

输入电容 2770pF @25V

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 47.0 ns

热阻 0.47℃/W RθJC

输入电容Ciss 2770pF @25VVds

额定功率Max 3.8 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRFB52N15DPBF引脚图与封装图
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IRFB52N15DPBF International Rectifier 国际整流器 N沟道,150V,51A,32mΩ@10V 搜索库存
替代型号IRFB52N15DPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFB52N15DPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-220AB N-Channel 150V 60A

当前型号

N沟道,150V,51A,32mΩ@10V

当前型号

型号: IRFB4115PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 150V 104A

功能相似

INFINEON  IRFB4115PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 150 V, 0.0093 ohm, 20 V, 5 V

IRFB52N15DPBF和IRFB4115PBF的区别

型号: IRFB4321PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 150V 85A

功能相似

INFINEON  IRFB4321PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 83 A, 150 V, 15 mohm, 10 V, 5 V

IRFB52N15DPBF和IRFB4321PBF的区别

型号: IRFZ14PBF

品牌: 威世

封装: TO-220AB N-Channel 60V 10A 200mΩ

功能相似

功率MOSFET Power MOSFET

IRFB52N15DPBF和IRFZ14PBF的区别