制造商型号: | SQD50P03-07_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQD50P03-07_GE3
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SQD50P03-07_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQD50P03-07_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 146 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导(Min) 52 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 63 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥32.712356 总价:¥32.71 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 32.712356 | 32.71 |
10 | 29.395844 | 293.96 |
100 | 23.629867 | 2362.99 |
500 | 19.414388 | 9707.19 |
1000 | 16.640855 | 16640.85 |
品牌其他型号
SQD50P03-07_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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