制造商型号: | STD2HNK60Z-1 |
制造商: | ST (意法半导体) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 2A IPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
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ST(意法半导体) STD2HNK60Z-1
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STD2HNK60Z-1 中文资料
数据手册PDF
STD2HNK60Z-1 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STD2HNK60Z-1
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
包装
Tube
系列
SuperMESH™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4.8Ohm @ 1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
15nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
280pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
45W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 11.226266 | 11.23 |
10 | 10.024984 | 100.25 |
100 | 7.815484 | 781.55 |
500 | 6.456033 | 3228.02 |
1000 | 5.40577 | 5405.77 |
品牌其他型号
STD2HNK60Z-1品牌厂家:ST
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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