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STD2HNK60Z-1

STD2HNK60Z-1

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STMICROELECTRONICS  STD2HNK60Z-1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 3.75 V

The is an N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using STMicroelectronics SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST"s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

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Gate charge minimized
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100% avalanche tested
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Extremely high dv/dt capability
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ESD improved capability
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New high voltage benchmark
STD2HNK60Z-1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 4.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 280pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STD2HNK60Z-1引脚图与封装图
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在线购买STD2HNK60Z-1
型号 制造商 描述 购买
STD2HNK60Z-1 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD2HNK60Z-1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STD2HNK60Z-1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STD2HNK60Z-1

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-251AA N-Channel 600V 2A

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD2HNK60Z-1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号： STP55NF06

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ

功能相似

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STD2HNK60Z-1和STP55NF06的区别

型号： STW20NK50Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ

功能相似

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STD2HNK60Z-1和STW20NK50Z的区别

型号： STP5NK100Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 1kV 3.5A 3.7Ω

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP5NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V

STD2HNK60Z-1和STP5NK100Z的区别