制造商型号： | FQB8N60CTM |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FQB8N60CTM
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FQB8N60CTM 中文资料
数据手册PDF
FQB8N60CTM 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 3.13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 64.5 ns
正向跨导（Min） 8.7 S
上升时间 60.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 81 ns
典型接通延迟时间 16.5 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQB8N60CTM_NL
单位重量 4 g
库存： 794
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 25.95053 | 25.95 |
| 10 | 19.095673 | 190.96 |
| 30 | 17.842789 | 535.28 |
| 100 | 16.575505 | 1657.55 |
| 500 | 16.013868 | 8006.93 |
品牌其他型号
FQB8N60CTM品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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