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FQB8N60CTM

FQB8N60CTM

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

Features

• 7.5A, 600V, RDSon= 1.2Ω@VGS= 10 V

• Low gate charge typical 28 nC

• Low Crss typical 12 pF

• Fast switching

• 100% avalanche tested

• Improved dv/dt capability

FQB8N60CTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 8.00 A

漏源极电阻 1.20 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 7.50 A

上升时间 60.5 ns

输入电容Ciss 1255pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

下降时间 64.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.13 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQB8N60CTM引脚图与封装图
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在线购买FQB8N60CTM
型号 制造商 描述 购买
FQB8N60CTM Fairchild 飞兆/仙童 QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FQB8N60CTM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FQB8N60CTM

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： D2PAK N-Channel 600V 7.5A 1.2ohms

当前型号

QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号： STB9NK60ZT4

品牌： 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel 600V 7A 950mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB9NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V

FQB8N60CTM和STB9NK60ZT4的区别

型号： STB6NK60ZT4

品牌： 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel 600V 6A 1.2ohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB6NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V

FQB8N60CTM和STB6NK60ZT4的区别

型号： STB4NK60ZT4

品牌： 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel 600V 2A 2Ω

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB4NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 1.76 ohm, 10 V, 3.75 V

FQB8N60CTM和STB4NK60ZT4的区别