制造商型号: | TK3R9E10PL,S1X |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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Toshiba(东芝) TK3R9E10PL,S1X
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TK3R9E10PL,S1X 中文资料
数据手册PDF
TK3R9E10PL,S1X 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIX-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 5.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 96 nC
耗散功率 230 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 88 ns
典型接通延迟时间 35 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存: 200
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 25.206288 | 25.21 |
10 | 22.599167 | 225.99 |
25 | 21.316612 | 532.92 |
100 | 16.62503 | 1662.50 |
250 | 16.198747 | 4049.69 |
500 | 14.067332 | 7033.67 |
1000 | 11.935919 | 11935.92 |
2500 | 11.765406 | 29413.51 |
5000 | 10.91284 | 54564.20 |
品牌其他型号
TK3R9E10PL,S1X品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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