制造商型号： | FDB86135 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) FDB86135
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FDB86135 中文资料
数据手册PDF
FDB86135 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 75 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 116 nC
耗散功率 227 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 800 | 31.336301 | 25069.04 |
| 1600 | 30.032051 | 48051.28 |
品牌其他型号
FDB86135品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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