FDB86135
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB86135中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.003 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 227 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 176A
输入电容Ciss 7295pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.4W Ta, 227W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDB86135引脚图与封装图
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在线购买FDB86135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB86135 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB86135 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.003 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
替代型号FDB86135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB86135 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-Channel 100V 176A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB86135 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.003 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 |
| 型号： IPB038N12N3GATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 120V 120A | 功能相似 | Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB038N12N3GATMA1, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装 | FDB86135和IPB038N12N3GATMA1的区别 |