制造商型号： | SIHH21N65E-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIHH21N65E-T1-GE3
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SIHH21N65E-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHH21N65E-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 20.3 A
漏源电阻 148 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 66 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 44 ns
上升时间 46 ns
典型关闭延迟时间 69 ns
典型接通延迟时间 26 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 8 mm
宽度 8 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
SIHH21N65E-T1-GE3 同类别型号
库存： 1000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 39.616501 | 118849.50 |
品牌其他型号
SIHH21N65E-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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