SIHH21N65E-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.148 Ω
耗散功率 156 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
输入电容Ciss 2404pF @100VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 156000 mW
封装参数
引脚数 5
封装 TDFN-4
外形尺寸
高度 1 mm
封装 TDFN-4
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIHH21N65E-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHH21N65E-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIHH21N65E-T1-GE3 Power MOSFET, N Channel, 20.3A, 650V, 0.148Ω, 10V, 4V New | 搜索库存 |