制造商型号： | BSZ042N06NSATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) BSZ042N06NSATMA1
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BSZ042N06NSATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSZ042N06NSATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 98 A
漏源电阻 4.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导（Min） 27 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ042N06NS SP000917418
单位重量 112.430 mg
库存： 8094
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 22.751916 | 22.75 |
| 10 | 18.94729 | 189.47 |
| 100 | 15.078202 | 1507.82 |
| 500 | 12.75877 | 6379.39 |
| 1000 | 10.825615 | 10825.62 |
| 2000 | 10.284372 | 20568.74 |
品牌其他型号
BSZ042N06NSATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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