制造商型号: | SQM200N04-1M7L_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 40V 200A TO-263 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQM200N04-1M7L_GE3
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SQM200N04-1M7L_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQM200N04-1M7L_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 291 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 181 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 22 ns
外形参数
高度 4.82 mm
长度 10.41 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
SQM200N04-1M7L_GE3 同类别型号
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥39.87237 总价:¥39.87 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 39.87237 | 39.87 |
10 | 35.778649 | 357.79 |
100 | 29.3127 | 2931.27 |
品牌其他型号
SQM200N04-1M7L_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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