制造商型号： | IPI60R125CPXKSA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 25A TO-262 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPI60R125CPXKSA1
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IPI60R125CPXKSA1 中文资料
数据手册PDF
IPI60R125CPXKSA1 规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPI60R125CPXKSA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 25A TO-262
包装
Tube
系列
CoolMOS™
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
125mOhm @ 16A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 1.1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
70nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2500pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
208W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
PG-TO262-3
封装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 39.823382 | 39.82 |
| 10 | 35.994893 | 359.95 |
| 100 | 29.800672 | 2980.07 |
| 500 | 25.949933 | 12974.97 |
| 1000 | 22.601515 | 22601.51 |
品牌其他型号
IPI60R125CPXKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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