制造商型号: | SQP120N06-6M7_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQP120N06-6M7_GE3
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SQP120N06-6M7_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 119 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 96.5 nC
耗散功率 175 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SQP120N06-6M7_GE3 同类别型号
库存: 500
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 34.102625 | 34.10 |
10 | 30.642938 | 306.43 |
25 | 28.913095 | 722.83 |
100 | 22.552214 | 2255.22 |
250 | 21.973952 | 5493.49 |
品牌其他型号
SQP120N06-6M7_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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