制造商型号: | RS1E350GNTB |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | 4.5V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOS |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ROHM(罗姆) RS1E350GNTB
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RS1E350GNTB 中文资料
数据手册PDF
RS1E350GNTB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 1.76 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55.1 ns
上升时间 21.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 92.5 ns
典型接通延迟时间 25.3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1E350GN
单位重量 771.020 mg
库存: 774
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 30.14869 | 30.15 |
10 | 27.084397 | 270.84 |
100 | 21.770072 | 2177.01 |
500 | 17.886574 | 8943.29 |
1000 | 14.820306 | 14820.31 |
品牌其他型号
RS1E350GNTB品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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