制造商型号: | SI9435BDY-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI9435BDY-T1-E3
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SI9435BDY-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI9435BDY-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.7 A
漏源电阻 42 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 42 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI9435BDY-E3
单位重量 750 mg
库存: 13307
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 10.71996 | 10.72 |
10 | 8.750478 | 87.50 |
100 | 6.804682 | 680.47 |
500 | 5.768335 | 2884.17 |
1000 | 4.698833 | 4698.83 |
品牌其他型号
SI9435BDY-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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