制造商型号： | NTD18N06LT4G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NTD18N06LT4G
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NTD18N06LT4G 中文资料
数据手册PDF
NTD18N06LT4G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 55 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导（Min） 13.5 S
上升时间 79 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 9.9 ns
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥14.268239 总价：￥14.27 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 14.268239 | 14.27 |
| 10 | 12.710623 | 127.11 |
| 100 | 9.908104 | 990.81 |
| 500 | 8.184976 | 4092.49 |
| 1000 | 6.461848 | 6461.85 |
品牌其他型号
NTD18N06LT4G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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