制造商型号： | IXTY08N100D2 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTY08N100D2
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IXTY08N100D2 中文资料
数据手册PDF
IXTY08N100D2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 800 mA
漏源电阻 21 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 14.6 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 48 ns
正向跨导（Min） 330 mS
上升时间 57 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 28 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥40.321451 总价：￥40.32 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 40.321451 | 40.32 |
| 10 | 36.188186 | 361.88 |
| 100 | 29.652066 | 2965.21 |
| 500 | 25.241987 | 12620.99 |
| 1000 | 21.288462 | 21288.46 |
| 2000 | 20.224051 | 40448.10 |
| 5000 | 19.463632 | 97318.16 |
品牌其他型号
IXTY08N100D2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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