锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IXTY08N100D2

IXTY08N100D2

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

TO-252AA N-CH 1000V 0.8A

表面贴装型 N 通道 1000 V 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-252AA


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252


贸泽:
MOSFET 8mAmps 1000V


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the IXTY08N100D2 power MOSFET, developed by Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 60000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin2+Tab TO-252AA


DeviceMart:
MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK


IXTY08N100D2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 21 Ω

极性 N-CH

耗散功率 60 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 1000 V

漏源击穿电压 1000 V

连续漏极电流Ids 0.8A

上升时间 57 ns

输入电容Ciss 325pF @25VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 48 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTY08N100D2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTY08N100D2
型号 制造商 描述 购买
IXTY08N100D2 IXYS Semiconductor TO-252AA N-CH 1000V 0.8A 搜索库存