IXTY08N100D2
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IXYS Semiconductor
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 21 Ω
极性 N-CH
耗散功率 60 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
连续漏极电流Ids 0.8A
上升时间 57 ns
输入电容Ciss 325pF @25VVds
额定功率Max 60 W
下降时间 48 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTY08N100D2 | IXYS Semiconductor | TO-252AA N-CH 1000V 0.8A | 搜索库存 |