制造商型号: | SQA401EJ-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 3.75A SC70-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SQA401EJ-T1_GE3
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SQA401EJ-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQA401EJ-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.75 A
漏源电阻 160 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.4 nC
耗散功率 13.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
品牌其他型号
SQA401EJ-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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