制造商型号： | IPB029N06N3GATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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INFINEON(英飞凌) IPB029N06N3GATMA1
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IPB029N06N3GATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPB029N06N3GATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 165 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导（Min） 75 S
上升时间 120 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 35 ns
外形参数
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB029N06N3 G SP000453052
单位重量 4 g
库存： 32482
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 26.9231 | 26.92 |
| 10 | 22.334797 | 223.35 |
| 100 | 17.77683 | 1777.68 |
| 500 | 15.04205 | 7521.02 |
品牌其他型号
IPB029N06N3GATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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