IPB029N06N3GATMA1

INFINEON  IPB029N06N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 3 V 新

OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS

优化技术，用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道，逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀

欧时:
### Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

得捷:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

立创商城:
N沟道 60V 120A

贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 3 V

艾睿:
Thanks to Infineon Technologies, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the IPB029N06N3GATMA1 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 188000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This device utilizes optimos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-263 T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Newark:
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