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DIODES(美台) DMN3009SFG-7

DIODES(美台) DMN3009SFG-7
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

DMN3009SFG-7

制造商:

DIODES (美台)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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DMN3009SFG-7 中文资料

数据手册PDF

DMN3009SFG-7 规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 16 A

漏源电阻 9 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 42 nC

耗散功率 900 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 14.6 ns

上升时间 4.1 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 31 ns

典型接通延迟时间 3.9 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 30 mg

库存: 949

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服
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价格(含增值税)

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