制造商型号: | DMN3009SFG-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMN3009SFG-7
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DMN3009SFG-7 中文资料
数据手册PDF
DMN3009SFG-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.6 ns
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
DMN3009SFG-7 同类别型号
库存: 949
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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DMN3009SFG-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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