DMN3009SFG-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMN3009SFG-7中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 900 mW
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 4.1 ns
输入电容Ciss 2000pF @15VVds
下降时间 14.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerDI-3333-8
外形尺寸
封装 PowerDI-3333-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN3009SFG-7引脚图与封装图
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在线购买DMN3009SFG-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN3009SFG-7 | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 | 搜索库存 |
替代型号DMN3009SFG-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMN3009SFG-7 品牌： Diodes 美台 封装： PowerDI3333-8 N-CH 30V | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 | 当前型号 |
| 型号： DMN3009SFG-13 品牌： 美台 封装： PowerDI3333-8 N-CH 30V | 完全替代 | MOSFET N-CH 30V 16A | DMN3009SFG-7和DMN3009SFG-13的区别 |