制造商型号: | IPB067N08N3GATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
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客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPB067N08N3GATMA1
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IPB067N08N3GATMA1 规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPB067N08N3GATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
6.7mOhm @ 73A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 73µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
56nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3840pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
136W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D²PAK (TO-263AB)
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1000 | 7.393893 | 7393.89 |
2000 | 7.28828 | 14576.56 |
5000 | 6.760146 | 33800.73 |
10000 | 6.496077 | 64960.77 |
25000 | 6.337623 | 158440.57 |
品牌其他型号
IPB067N08N3GATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
,可在锐单商城现货采购IPB067N08N3GATMA1、查询IPB067N08N3GATMA1代理商; IPB067N08N3GATMA1价格批发咨询客服;这里拥有
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