IPB067N08N3G、IPB067N08N3GATMA1、IPB097N08N3G对比区别

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型号 IPB067N08N3G IPB067N08N3GATMA1 IPB097N08N3G

描述 Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3Pin TO-263 T/RINFINEON  IPB067N08N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 0.0055 ohm, 10 V, 2.8 V80V,70A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 D2PAK-263 TO-263 D2PAK

引脚数 3 3 -

封装 D2PAK-263 TO-263 D2PAK

长度 - 10.31 mm -

宽度 - 9.45 mm -

高度 - 4.57 mm -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

额定功率 - 136 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0055 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 136 W 136 W -

阈值电压 - 2.8 V -

漏源极电压(Vds) - 80 V -

连续漏极电流(Ids) - 80A -

上升时间 66 ns 66 ns -

输入电容(Ciss) 2890pF @40V(Vds) 2890pF @40V(Vds) -

下降时间 8 ns 8 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 136000 mW 136 W -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -