制造商型号： | R6006ANDTL |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 6A CPT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ROHM(罗姆) R6006ANDTL
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R6006ANDTL 中文资料
数据手册PDF
R6006ANDTL 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导（Min） 1.7 S
上升时间 36 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 R6006AND
单位重量 330 mg
库存： 2350
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 26.89673 | 26.90 |
| 10 | 24.159028 | 241.59 |
| 100 | 19.416077 | 1941.61 |
| 500 | 15.952163 | 7976.08 |
| 1000 | 13.217461 | 13217.46 |
品牌其他型号
R6006ANDTL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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