R6006ANDTL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 900 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 40 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 36 ns
输入电容Ciss 460pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
R6006ANDTL引脚图
R6006ANDTL封装图
R6006ANDTL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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R6006ANDTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | CPT N-CH 600V 6A | 搜索库存 |