制造商型号: | SQR97N06-6M3L_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 50A TO252 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SQR97N06-6M3L_GE3
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SQR97N06-6M3L_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQR97N06-6M3L_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 97 A
漏源电阻 5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 177 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存: 1996
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 17.174873 | 17.17 |
10 | 15.309113 | 153.09 |
25 | 14.530684 | 363.27 |
100 | 10.898012 | 1089.80 |
250 | 10.794222 | 2698.56 |
500 | 9.237364 | 4618.68 |
1000 | 7.524818 | 7524.82 |
品牌其他型号
SQR97N06-6M3L_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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