制造商型号: | IPD90N03S4L02ATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPD90N03S4L02ATMA1
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IPD90N03S4L02ATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPD90N03S4L02ATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 140 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 14 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD90N03S4L-02 SP000273284
单位重量 330 mg
IPD90N03S4L02ATMA1 同类别型号
库存: 5352
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 20.88168 | 20.88 |
10 | 18.7688 | 187.69 |
25 | 17.708653 | 442.72 |
100 | 13.812799 | 1381.28 |
250 | 13.459169 | 3364.79 |
500 | 11.688056 | 5844.03 |
1000 | 9.917192 | 9917.19 |
品牌其他型号
IPD90N03S4L02ATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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