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IPD90N03S4L02ATMA1

IPD90N03S4L02ATMA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD90N03S4L02ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.5 V

OptiMOS™ T2 功率 MOSFET

Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET ，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

AEC 合格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品（符合 RoHS 标准）

IPD90N03S4L02ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0018 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 136 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 7500pF @25VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Body applications, 车用, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Automotive, OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching 3-phase and, 电源管理, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPD90N03S4L02ATMA1引脚图与封装图
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