制造商型号: | SIR606BDP-T1-RE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIR606BDP-T1-RE3
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SIR606BDP-T1-RE3 中文资料
数据手册PDF
SIR606BDP-T1-RE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 38.7 A
漏源电阻 14.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SIR606BDP-T1-RE3 同类别型号
库存: 2173
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 17.445006 | 17.45 |
10 | 14.267524 | 142.68 |
100 | 11.10001 | 1110.00 |
500 | 9.40884 | 4704.42 |
1000 | 7.664465 | 7664.47 |
品牌其他型号
SIR606BDP-T1-RE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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