制造商型号: | RQ3E100ATTB |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | RQ3E100AT IS THE HIGH RELIABILIT |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROHM(罗姆) RQ3E100ATTB
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RQ3E100ATTB 中文资料
数据手册PDF
RQ3E100ATTB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 11.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 17 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 123.267 mg
库存: 2892
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 10.13194 | 10.13 |
10 | 8.933405 | 89.33 |
25 | 8.387269 | 209.68 |
100 | 6.089048 | 608.90 |
250 | 5.872076 | 1468.02 |
500 | 5.087222 | 2543.61 |
1000 | 4.329551 | 4329.55 |
品牌其他型号
RQ3E100ATTB品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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