制造商型号： | HN1B04FU-GR,LF |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 双极晶体管预偏置 |
商品描述： | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Toshiba(东芝) HN1B04FU-GR,LF
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HN1B04FU-GR,LF 中文资料
数据手册PDF
HN1B04FU-GR,LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 50 V, - 50 V
集电极—基极电压 60 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 5 V, - 5 V
饱和电压 100 mV, - 100 mV
最大直流电集电极电流 150 mA, - 150 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 150 MHz, 120 MHz
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 400
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 7.500 mg
库存： 1000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 0.094017 | 0.09 |
