制造商型号： | SI7623DN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI7623DN-T1-GE3
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SI7623DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI7623DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 3.1 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导（Min） 70 S
上升时间 38 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 82 ns
典型接通延迟时间 37 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
库存： 3000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.797352 | 19.80 |
| 10 | 17.734133 | 177.34 |
| 100 | 13.824754 | 1382.48 |
| 500 | 11.420448 | 5710.22 |
| 1000 | 9.016142 | 9016.14 |
品牌其他型号
SI7623DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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