SI7623DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0031 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 52 W
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
封装 PowerPAK-1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI7623DN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7623DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7623DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0031 ohm, -10 V, -400 mV | 搜索库存 |