制造商型号： | BSZ086P03NS3GATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) BSZ086P03NS3GATMA1
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BSZ086P03NS3GATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSZ086P03NS3GATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3.1 V
栅极电荷 57.5 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 30 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ086P03NS3 G SP000473024
单位重量 38.760 mg
库存： 12889
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 10.87036 | 10.87 |
| 10 | 8.898528 | 88.99 |
| 100 | 6.919111 | 691.91 |
| 500 | 5.865191 | 2932.60 |
| 1000 | 4.777776 | 4777.78 |
| 2000 | 4.497674 | 8995.35 |
品牌其他型号
BSZ086P03NS3GATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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